長鑫、長江存儲正在追到哪裡？中國記憶體國產替代的真實進度
長鑫由 DDR4／LPDDR4X 走向 DDR5、LPDDR5X，長江存儲以 Xtacking 推進 TLC／QLC。份額上升是真的，但設備、良率、高階產品與客戶驗證仍是硬仗。
長鑫：從成熟 DRAM 走向 DDR5 與 LPDDR5X
長鑫存儲採取跳代研發，已形成從 DDR4、LPDDR4X 到 DDR5、LPDDR5／5X 的產品覆蓋，提供晶圓、晶片與模組方案，應用指向伺服器、手機、PC 與汽車。報告引用 Counterpoint 預估，按營收計 2025 年全球份額約 5%，2026／2027 年可能升至 7%／8%。
這組份額表示長鑫已不是可以忽略的供應者，但與三大原廠在先進製程、HBM、良率、客戶組合與全球服務仍有距離。國產替代不是把產品名稱做出來就結束，而是要穩定量產、通過平台驗證並在成本上可競爭。
成熟產品停產也提供切入口。當海外原廠把資源移向 HBM 與高階 DRAM，中國供應商可以承接 DDR4、LPDDR4 與部分利基需求，再用現金流和量產經驗往新世代前進。
長鑫與長江存儲全球營收份額預估
DRAM 與 NAND 國產替代持續增加，但高階產品、良率與供應限制仍待驗證。
| 公司 | 產品 | 2025 | 2026E | 2027E |
|---|---|---|---|---|
| 長鑫存儲 | DRAM | 5% | 7% | 8% |
| 長江存儲 | NAND | 10% | — | 12% |
Counterpoint 預估；長江存儲報告只列 2025、2027。資料來源：Counterpoint、財信證券，PDF 第 22–23 頁。
長江存儲：Xtacking 建立 3D NAND 差異化
長江存儲以 Xtacking 架構將記憶體陣列與周邊電路分開製造後再鍵合，持續推進 TLC 與 QLC 產品。報告指出第五代 TLC 已於 2024 年研發成功並量產，2025 年發布第五代 QLC。
Counterpoint 預估其 2025 年 NAND 全球營收份額約 10%，2027 年可能升至 12%。相較 DRAM，NAND 的全球競爭者更多，企業級產品還要搭配主控、韌體與平台認證；市占提升能否轉成穩定獲利，取決於產品組合與成本。
美國出口管制、設備與供應鏈限制仍是不可忽略的外生變數。中國廠商一方面擴大本土替代，另一方面也可能加速設備、材料、控制器與封測的在地化。
2027 可能同時是替代加速與供給轉折
報告整理的中長期規劃顯示，長鑫上海新廠設備預計 2026 年下半年啟動、2027 年投產；長江存儲第三座晶圓廠亦規劃於 2027 年投產，並有部分產能轉向 DRAM／HBM 的情境。
若新廠順利爬坡，中國供給彈性會明顯增加，國產替代受益者可能擴大；但對產業價格而言，新增有效供給也可能緩解短缺。這正是產業與個股邏輯可能分叉的地方：一家公司因份額成長而受益，整體報價卻可能因供給增加而下滑。
判斷國產替代，應同時看技術世代、良率、晶圓月產能、客戶驗證、產品價格與政策限制。只看一座新廠的名義產能，容易高估短期供給；完全忽略它，又會低估中期競爭變化。
- 技術：DDR5／LPDDR5X、TLC／QLC 與 HBM 進度。
- 製造：設備到廠、良率、爬坡與有效位元。
- 市場：客戶認證、營收份額與產品組合。
- 政策：出口管制、本土採購與供應鏈安全。
資料來源與口徑
- 財信證券《AI 引爆存儲需求，供給約束支撐行業高景氣周期：存儲行業深度報告》，2026 年 8 月 12 日；本文主要引用 PDF 第 22、23、27、28 頁。
- 原報告另引用 TrendForce、CFM、Counterpoint、NVIDIA、YOLE、弗若斯特沙利文及公司公告等來源；E／F 表示預估。
- 市場份額、產能、合約價與技術規格有特定時點及口徑；跨來源數字不宜直接相加。
這篇是「AI 記憶體超級周期」第 12 篇。產業景氣會替公司加分，產品、客戶與現金流才決定分數能留多久。
本文為產業研究與個人觀點整理，不構成投資建議；預估與公司資訊請以最新公開資料為準。