DDR4、2D NAND 為何愈舊愈貴？大廠停產後的結構性缺貨
原廠把產能移向 HBM、DDR5 與 3D NAND，成熟產品客戶卻無法立刻換料。工控、車用與網通的長生命週期，讓『舊技術』變成供給稀缺品。
大廠退出，不代表市場需求同一天消失
三星、SK 海力士、美光與長鑫陸續調整 DDR4／LPDDR4 供應，把資源移向 DDR5、HBM 與先進製程；2D NAND 的 SLC／MLC、舊式 eMMC 與消費品牌也面臨 EOL。原廠的理由很合理：無塵室與設備有限，當然先做價值更高的產品。
但工控、汽車、網通、醫療與嵌入式設備的產品週期很長。一個料號通過認證後，客戶不會因原廠策略改變就立刻重設電路、重做軟體與重新驗證。供應退出速度快過需求轉移，就形成結構性缺貨。
這種市場規模可能不大，價格彈性卻很強。因為客戶買的不只是容量，而是相容、可靠、可追溯與多年供貨。
成熟記憶體供給退出時間線
原廠轉向高階產品，舊世代客戶卻仍需要多年供貨。
| 供應商 | 產品／動作 | 報告所列時程 |
|---|---|---|
| 三星 | DDR4／LPDDR4 調整 | 部分 DDR4 延至 2026 年底 |
| SK 海力士 | DDR4 生產比重降至 20%以下 | 2026 年 4 月最終出貨 |
| 美光 | 消費／PC／資料中心 DDR4 減產 | 2026 Q1 完成最終出貨 |
| 三星 | MLC／2D NAND | 2026 年陸續停止 |
| 鎧俠 | 多款 SLC／MLC／TLC 舊製程 | 2027–2029 分批退出 |
僅摘要報告重點，實際 EOL 以原廠最新通知為準。資料來源：財信證券彙整，PDF 第 24 頁。
為什麼 DDR2 與 SLC NAND 反而漲得更猛？
報告引用 TrendForce 預估，DDR2 2026 年第二季合約價季增約 55–60%，第三季再增 35–40%。一部分原因是成熟 DRAM 供給縮小，客戶為取得配額而回頭採購舊世代產品。
SLC NAND 的供給更緊。高層數 3D NAND 排擠成熟製程，MLC 客戶又可能轉用 SLC，加上邊緣 AI、資料中心、汽車與工控需求，報告估計 2026 年下半年 SLC 合約價較上半年再上漲 120–170%。
這類漲幅要小心解讀：小基期、特定料號、長約與極端缺貨都會放大百分比，不代表所有成熟產品或所有供應商的平均售價同步上升。
2026 Q2–Q3 記憶體合約價預估
價格仍漲，但一般型產品與 HBM／NAND 的季增幅都明顯收斂。
| 產品 | 2026 Q2 | 2026 Q3E／H2E |
|---|---|---|
| 一般型 DRAM | +58–63% | +13–18% |
| HBM 混合價 | +53–58% | +8–13% |
| NAND Flash | +55–60% | +10–15% |
| DDR2 | +55–60% | +35–40% |
| SLC NAND | 2026 H1 +130–150% | 2026 H2 +120–170% |
區間為季增率；SLC 是 2026 下半年相對上半年。資料來源：TrendForce、財信證券，PDF 第 25 頁。
利基供應商的護城河，不是『有舊機器』
真正有價值的是完整產品線、車規／工規認證、穩定晶圓來源、封裝測試、品質追溯與客戶導入。若公司只在價格上行時囤料轉售，景氣反轉後就會暴露庫存風險。
還要注意客戶加速換代。當缺貨與漲價超過重新設計成本，客戶可能改用新世代產品或重新驗證第二供應商。成熟產品的供給紅利可能持續數季甚至數年，但不等於需求永不消失。
資料來源與口徑
- 財信證券《AI 引爆存儲需求，供給約束支撐行業高景氣周期：存儲行業深度報告》，2026 年 8 月 12 日；本文主要引用 PDF 第 23、24、25 頁。
- 原報告另引用 TrendForce、CFM、Counterpoint、NVIDIA、YOLE、弗若斯特沙利文及公司公告等來源；E／F 表示預估。
- 市場份額、產能、合約價與技術規格有特定時點及口徑；跨來源數字不宜直接相加。
這篇是「AI 記憶體超級周期」第 13 篇。產業景氣會替公司加分，產品、客戶與現金流才決定分數能留多久。
本文為產業研究與個人觀點整理，不構成投資建議；預估與公司資訊請以最新公開資料為準。