資本支出大增，為何 2026 年記憶體還是缺？關鍵在『有效產能』
DRAM 資本支出預估年增 29%，NAND 增 5%；但錢主要花在 HBM、TSV、製程、高層數與混合鍵合。2026 年新增位元有限，真正供給拐點更可能落在 2027 之後。
DRAM 花得多，NAND 花得很節制
報告引用 TrendForce 預估，DRAM 資本支出由 2025 年 535 億美元增至 2026 年 688 億美元，年增 29%；NAND 由 211 億增至 222 億美元，只增 5%。表面上供應商已大舉投資，但新增供給仍受限。
美光的 DRAM 投資聚焦 1-gamma 與 TSV，SK 海力士投入 M15x HBM4，三星提高 HBM 1c 製程與小幅增加晶圓產能。NAND 則偏向 BiCS8／9、G9、企業級 SSD 與混合鍵合；三星與海力士反而限制部分 NAND 投資。
設備升級能提高產品價值與位元密度，卻需要導入、驗證、良率爬坡，也可能讓產線轉換期的可售產品減少。CapEx 是未來能力的投入，不是當期倉庫裡多出的貨。
資本支出增加，晶圓產能未等比例增加
DRAM 投資偏向 HBM／TSV；NAND 偏向製程升級與企業級產品。
| 項目 | 2025 | 2026E | 變化 |
|---|---|---|---|
| DRAM 資本支出 | $53.5B | $68.8B | +29% |
| NAND 資本支出 | $21.1B | $22.2B | +5% |
| DRAM 月產能 | 1.966M | 2.136M | +8.6% |
| NAND 月產能 | 1.365M | 1.330M | -2.6% |
| HBM／DRAM 產能占比 | 19% | 23% | +4ppt |
資本支出單位：十億美元；月產能為 12 吋晶圓百萬片。資料來源：TrendForce、財信證券，PDF 第 26–28 頁。
DRAM 月產能上升，資源卻更多流向 HBM
報告估計全球 DRAM 12 吋晶圓月產能由 2025 年第四季 196.6 萬片，升至 2026 年底 213.6 萬片，增幅約 8.6%。同期 HBM 占 DRAM 產能比重由 19%升至 23%。
這意味著總晶圓投入增加，傳統 DRAM 可用供給卻不會等比例增加。HBM 堆疊與良率要求也會消耗更多裸晶與封裝資源。一般型 DRAM、成熟產品與 HBM 可能同時緊張，不是因為它們需求完全相同，而是共用上游空間與設備。
NAND 的訊號更明顯：全球月產能由 136.5 萬片降至約 133 萬片。鎧俠／閃迪與長江存儲增加，三星、SK 海力士與美光主要升級工藝，總晶圓供給沒有擴張。
2027 是可能的供給拐點，不是保證的洪水
三星 P5、SK 海力士龍仁與 M15X、美光台灣與美國新廠，以及中國的新產能，將在 2027–2030 年逐步釋放。報告引用測算，2027 年底全球 DRAM 月產能年增可能達 20%，其後維持較高擴張。
但名義產能還要經過建廠、設備、試產、良率、客戶認證與產品組合。先進節點與 HBM 的有效產出可能低於設計值，投產日期也可能延後。市場常在實際供給出現前就先交易預期，因此要追蹤進度而非只記年份。
我的判斷框架是：2026 年看產品組合排擠，2027 年看新廠爬坡與良率，2028 年後再看需求能否吸收。資本支出的錢已經花下去，何時變成可售位元，才是價格周期真正的倒數計時器。
- 名義：廠房設計月產能。
- 實體：設備搬入與晶圓投入。
- 有效：良率後的可售位元。
- 可變現：通過客戶驗證、符合產品組合的出貨。
資料來源與口徑
- 財信證券《AI 引爆存儲需求，供給約束支撐行業高景氣周期：存儲行業深度報告》，2026 年 8 月 12 日；本文主要引用 PDF 第 26、27、28、29 頁。
- 原報告另引用 TrendForce、CFM、Counterpoint、NVIDIA、YOLE、弗若斯特沙利文及公司公告等來源；E／F 表示預估。
- 市場份額、產能、合約價與技術規格有特定時點及口徑；跨來源數字不宜直接相加。
這篇是「AI 記憶體超級周期」第 15 篇。產業景氣會替公司加分，產品、客戶與現金流才決定分數能留多久。
本文為產業研究與個人觀點整理，不構成投資建議；預估與公司資訊請以最新公開資料為準。