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全球半導體資本支出

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先進製程為什麼貴這麼多？從 9.3 億到 60 億美元的成本差

成熟／特色製程樣本平均每萬片月產能約 9.3 億美元，台積電亞利桑那 Fab 1 約 60 億美元。差距來自工藝、設備、廠務、地區與投資範圍。

本輪半導體軍備競賽與上一輪最大的差別，不只是金額更大，而是資金集中得更深：先進邏輯、DRAM、HBM、NAND 與先進封裝，同時成為 AI 基礎設施的瓶頸。

AI 需求、工程進度、地緣政治與工程毛利，是報告列出的四大風險。把風險改寫成可追蹤訊號，才不會只在股價下跌後才想起免責聲明。

從董事會宣布投資，到供應商真的認列營收，中間隔著設計、土建、潔淨室、廠務、設備搬入與二次配。理解階段，才能理解訂單。

中國本土替代不是單一先進製程故事。成熟製程、特色工藝、DRAM 與 NAND 同時推進，使設備導入、廠務改造與二次配需求保持活躍。

12 吋 Fab 樣本顯示，每增加 1 萬片月產能約需 0.6–1.1 萬平方公尺潔淨室；5 萬片月產能約對應 3–5.5 萬平方公尺。

ESMC、英飛凌、ST 與格芯的歐洲專案，核心不是追逐同一種 AI 晶片，而是把汽車、工控、功率與 SiC 供應鏈留在本地。

報告用『總投資 ÷ 規劃月產能』比較 12 吋 Fab。成熟／特色製程平均約 9.3 億美元，台積電亞利桑那 Fab 1 則高達約 60 億美元。

資本支出很適合製造宏大敘事，但投資回報最後仍要回到三本帳：公司花多少錢、工程走到哪裡，以及產能如何轉成收入與現金。

JASM 熊本、Rapidus 北海道、美光廣島與鎧俠北上，分別承擔成熟／先進邏輯、2nm 技術突破、先進 DRAM 與 3D NAND。日本正在重建一個多層次製造體系。

韓國的新增產能依附既有產業聚落，從三星平澤到 SK 海力士清州、龍仁，形成廠房、研發、記憶體與先進封裝的連續投資。

美光 2026 財年資本支出指引超過 270 億美元，接近前一財年的兩倍。真正的訊號，是 DRAM、HBM、NAND、先進封裝與美國本土製造同時擴張。

北美擴產由先進邏輯、本土記憶體與先進封裝三條線推進。總投資驚人，但各專案距離營收的時間差可以長達數年。

三星業務線更廣、資本配置更複雜；SK 海力士則把重心壓在下一代 DRAM 與 HBM。兩家公司都在韓國建立可延續多年的大型產能平台。

把全球專案依年份排列，就能看見工程需求不是同一年爆發，而是從 2026 的搬機與爬坡，一路延伸到 2033 的分期滿產。

美光、格芯、聯電與世界先進／NXP 同時在新加坡推進 NAND、HBM 封裝與成熟製程。這不是低成本替代，而是供應鏈多元化與高可靠製造的集合。

台積電新竹與高雄 2nm、美光銅鑼、南亞科技新北、聯電台南，分別代表先進邏輯、DRAM 與成熟製程。台灣供應鏈面對的是多層次需求。

台積電不只擴建台灣 2nm，也把美國、日本與歐洲變成多區域製造網路。這筆預算對供應鏈的影響，關鍵在先進製程、封裝與海外建設成本同時上升。